Trong ngày hôm nay, Samsung đã tuyên bố đưa các dòng chip nhớ UFS 2.0 dung lượng 256GB vào sản xuất hàng loạt.
Đây là bước tiến mới nhất của Samsung trên lĩnh vực chip nhớ di động, sau khi hãng này chuyển từ công nghệ eMMC lên công nghệ UFS (Universal Flash Storage) 2.0 mới mẻ có tốc độ truyền tải dữ liệu cao hơn nhiều so với công nghệ cũ vào năm ngoái.
Galaxy S6 và S6 edge là 2 trong số những chiếc smartphone đầu tiên sử dụng UFS 2.0 thay thế cho eMMC.
Thế hệ chip nhớ UFS 2.0 mới nhất của Samsung có thể thực hiện 45.000 tác vụ đầu vào và 40.000 tác vụ đầu ra (IOPS) cho quá trình đọc dữ liệu ngẫu nhiên và ghi dữ liệu.
Mức tốc độ này cao gấp 2 lần mức đọc 19.000 IOPS và ghi 14.000 IOPS của thế hệ UFS đầu tiên. Samsung cũng cho biết chip UFS 256GB mới sử dụng 2 luồng truyền tải dữ liệu để thực hiện truyền tải dữ liệu ở tốc độ 850MB/s, nhanh gần 2 lần so với ổ SSD dùng chuẩn kết nối SATA đang được sử dụng phổ biến trên PC.
Tốc độ ghi dữ liệu tuần tự cũng đạt tới mức rất ấn tượng: 260MB. Samsung khẳng định tốc độ của UFS 2.0 cao gấp 3 lần các thẻ nhớ microSD nhanh nhất trên thị trường hiện nay và cũng nhanh hơn gấp đôi so với chip nhớ 128GB được công ty sản xuất vào năm ngoái.
Trong khi người tiêu dùng có thể không cần tới mức tốc độ "khủng" như vậy trong mọi trường hợp sử dụng, Samsung đang nhắm dòng chip nhớ của mình vào thị trường cao cấp, cho phép người dùng tận hưởng khả năng phát video độ phân giải Ultra HD 4K cũng như tốc độ truyền tải "khủng" của kết nối USB-C mới đang ngày một phổ biến hơn.
Đáng tiếc là dòng chip cao cấp này lại không được trang bị trên chiếc Galaxy S7 và Galaxy S7 edge mới ra mắt. Tuy vậy, chúng ta hoàn toàn có thể chờ đợi các phiên bản Galaxy S và Galaxy Note 256GB trong tương lai, khi công nghệ UFS 2.0 của Samsung đã trở nên hoàn thiện hơn.
